세계 최대 파운드리 기업 대만 TSMC가 최첨단 이난노 공정 제품
영상을 시작했습니다. 대만 언론에 따르면 TSMC는 전날 공식
웹사이트를 통해 남부 가우 난츠 과학 단지 22 패에서 이나노 제품을 양산
중이라고 공개했습니다. TSMC는 2노 공정의 1세대 가이트 오러라운드
나노시트 트랜지스터 기술을 사용해 성능과 전력 소비에서 획기적인 발전을
이뤘다고 설명했습니다. 이어 반도체 칩 위에 전기적 연결을 위한 금속
와이어와 절연층을 연결하는 RDL과 초고속능 금속 절현체, 금속 커페시티
등을 개발해 표면 저항과 통과 저항을 각각 50% 감소시켰다고
덧붙였습니다.이 이 같은 기술 혁신을 통해 더 안정적인 전원 공급, 우수한
연상 능력, 전반적인 에너지 효율의 최적화를 실현했다고 강조했습니다.
소식통은 TSMC의 인노공정이 기존 핀 트랜지스터 기술에서 도약한 GAA
나노시트 트랜지스터 기술을 처음 사용하는 기술 혁신을 보였다고
밝혔습니다.이를 이를 통해 성능과 전력 효율을 희생하지 않으면서
트랜지스터 크기를 더욱 줄이고 밀도를 크게 높일 수 있다고 전했습니다.
다른 소식통은 TSMC가 남부 22패배 이난노 공정 양산을
공개했지만 북부 신주학 단지 바우산 지역 20 제10장에서 22보다 먼저
양산을 시작했다고 말했습니다. TSMC는 약 5만 개에 달하는
22과 20의 월간 생산 능력을 내년 말까지 10만 개 이상,
2027년까지 20만 개 이상으로 확대하는 방안을 고려 중입니다.
나노는 반도체 회로 선폭을 의미하는 단위로 선폭이 좁을수록 소비 전력이
줄고 처리도 빨라집니다. TSMC의 이난노 양산 게시는 삼성전자와의
파운드리 기술 경쟁에서 한 발 앞서 나간 것으로 평가됩니다. TSMC의
이노 양산으로 글로벌 파운드리 시장 경쟁이 더욱 치열해질 전망입니다.